Samsung, İlk 3 nm GAAFET Yarı İletken Prototipini Üretti

 Samsung, İlk 3 nm GAAFET Yarı İletken Prototipini Üretti

Dünyanın en büyük akıllı telefon üreticilerinden biri olan ve bununla birlikte teknolojinin birçok yerinde çalışmalarını sürdüren Güney Kore merkezli Samsung, yarı iletken üretiminde de yerküre markası olmak için eforlarını sürdürüyor. Şirket, önümüzdeki 10 sene içerisinde yerkürenin en bilindik yarı iletken üreticileri TSMC ve Intel üzere firmaları geçerek, yerkürenin bir numaralı yarı iletken üreticisi haline gelmek istiyor.

Raporlara nazaran Samsung, yeni bir yarı iletken üretimini tamamladı. Birinci 3 nm yarı iletken çip prototipini üreten şirket, bunu yapmak için yeni bir teknoloji kullandı. Gate All Around (GAAFET) ismi verilen bu teknoloji, şu anda koldaki yarı iletkenlerin umumunda kullanılan FinFET teknolojisinden çok daha avantajlı. GAAFET, yekun silikon boyutunun yüzde 35 daha küçük olmasını sağlıyor ve güç tasarrufunu da yüzde 50 nispetinde artırıyor. Bunların yanı sıra yeni teknoloji, performans yerinde da yüzde 33’lük bir artış sağlıyor.

Samsung, 3 nm GAAFET üretimini beklenenden daha erken yapabilir

Birçok sanayi gözetmeni, GAAFET çiplerinin 2022’den evvel üretilemeyeceğini ve bu yıldan evvel bu teknolojinin rastgele bir formda görülmeyeceğini belirtiyordu. Samsung ise varsayımların bilakis bir hamle yaparak beklenenden tamı tamına 2 sene evvel 3 nm GAAFET çiplerinin prototiplerini üretti. Şayet Samsung, halihazırda çalışan bir 3 nm çip prototipine sahipse bu teknolojiyi beklenenden çok daha yakın bir devirde görebileceğimiz mealine geliyor.

Samsung’un 3 nm GAAFET prototiplerinin üretimine beklenenden birkaç yıl evvel başlaması, seri üretimin de erken olacağı mealine geliyor. Raporlara nazaran Samsung, 3 nm GAAFET çiplerinin seri üretimine 2021 yılının birinci yarısında başlayacak. Bu adım, şu anda piyasada bulunan 7 nm işlemcilerin rafa kaldırılmasına ve büyük orantıda bir performans artışına sebep olacak. Samsung’un önümüzdeki yıllarda çıkacak akıllı telefonlarında da üzerinde çalıştığı 3 nm devreleri kullanması bekleniyor.

Yapılan Yorumlar
Bir Yorum Yapın

Çerez Örnek